英特尔350亿大连建芯片项目

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图:英特尔与大连市政府签署合作协议  宋伟摄

  大公财经10月22日报道(记者 宋伟)英特尔昨日宣布拟将“非易失性存储”引入中国,并落地在大连设立的分工厂。英特尔计划升级改造大连工厂现有设施,将其打造为旗下首个使用300毫米晶圆的“非易失性存储”产品集成电路制造中心。英特尔预计对此项目投资高达55亿美元(折合人民币约349亿元),并将于2016年底投产。

  据了解,非易失性存储芯片是指在断电情况下,依旧能保存数据的芯片。非易失性存储芯片包括了目前被广泛应用于智能手机 、平板电脑的闪存芯片。英特尔目前通过与美光的合资公司制造闪存芯片,广泛用于硬盘和其他存储设备。

  英特尔副总裁凯文.艾斯弗加尼表示,全球对千兆字节为计量单位的存储需求,将以每年40%的速度增长。非易失性存储固态硬盘项目是英特尔核心计算业务,利用大连晶圆厂拓展非易失性存储芯片製造能力,这也是英特尔全球多元供应战略的一部分。

  据悉,此次投资升级计划是英特尔迄今在中国的最大一笔投资。大连市市长肖盛峰指出,在中国经济发展进入新常态,大连经济结构加快调整、进入转型升级的关键时期,英特尔项目签约对于释放回暖信号、提振发展信心、鼓舞士气、凝聚力量均具有重要意义。

责任编辑:李岩

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