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硫化钼应用研究获突破 沾钼概念或现炒作潮

  早在今年1月中旬时,钼铁价格的暴涨,就曾掀起过一阵炒钼风暴;如今,硫化钼研究的突破,再度引发市场关注。据外媒报道,美国北卡州立大学的研究人员表示,他们开发出了制造高质量原子量级半导体薄膜(薄膜厚度仅为单原子直径)的新技术,新技术能将现有半导体技术的规模缩小到原子量级,包括激光器、发光二极管和计算机芯片等;而其所用材料硫化钼成为关键。分析人士指出,此次氧化硫研究获得突破后,半导体薄膜在纳米电子器件中将更受欢迎,A股市场中沾“钼”概念,如洛阳钼业(603993)、新华龙(603399)、金钼股份(601958)将有望受到资金的青睐。

  硫化钼应用大门将打开

  据海外媒体报道,美国北卡州立大学研究人员日前表示,他们开发出了制造高质量原子量级半导体薄膜(薄膜厚度仅为单原子直径)的新技术。其材料科学和工程助理教授曹林友表示,新技术能将现有半导体技术的规模缩小到原子量级,包括激光器、发光二极管和计算机芯片等。

  据悉,研究人员研究的材料是硫化钼,它是一种价格低廉的半导体材料,电子和光学特性与目前半导体工业界所用的材料相似。然而,硫化钼又与其他半导体材料有所不同,因为它能以单原子分层生长形成单层薄膜,同时薄膜又不会失去原有的材料特性。

  在新技术中,研究人员将硫粉和氯化钼粉放置于炉内,并将温度逐步升高到850摄氏度,此时两种粉末出现蒸发(汽化)并发生化学反应形成硫化钼。而继续保持高温,硫化钼能沉积到基片上,形成薄薄的硫化钼膜。

  曹林友表示,他们成功的关键是寻找到了新的硫化钼生长机理,即自限制生长,并通过控制高温炉中分压和蒸汽压来精确地控制硫化钼层的厚度。据介绍,分压代表悬浮在空气中的原子或分子聚集成固体沉淀到基片上的趋势;蒸汽压代表基片上的固体原子或分子汽化进入空气的趋势。为在基片上获得单层硫化钼,分压必须高于蒸汽压;分压越高,沉积到底部的硫化钼层就越多。如果分压高于在基片上形成单层薄膜的蒸汽压,但又低于形成双层薄膜的蒸汽压,那么在分压和蒸汽压之间的这种平衡能确保在单层硫化钼薄膜形成后薄膜生长自动停止,不再向多层发展。这就是“薄膜的自限制生长”。

  • 责任编辑:拾禾

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